文章目录

1 试验

1.1 原料及试样制备

1.2 试样的分析与表征

2 结果与讨论

2.1 硫化时间对ZnS薄膜晶体结构和光学性能的影响

2.2 硫化时间对ZnS薄膜成分和表面形貌的影响

3 结论

文章摘要:首先采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Zn薄膜,再先后于200℃和400℃温度下对Zn薄膜进行硫化处理以制备ZnS薄膜,借助X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）、紫外-可见分光光度计等研究了硫化时间对所制ZnS薄膜性能的影响。结果表明,ZnS为六方晶体结构,在200℃及400℃和硫化时间均为1 h的条件下,所制ZnS薄膜的结晶性、光学性质、S/Zn原子比及组织均匀性最佳。

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